真空退火爐是在半導(dǎo)體元器件出產(chǎn)制造中選用的一種加工工藝，其包含加溫好幾個(gè)半導(dǎo)體芯片芯片以危害其電氣功能。熱處理工藝是關(guān)于不一樣的實(shí)際效果而制定的。
真空退火爐能夠加溫芯片以激話(huà)摻雜劑，將薄膜轉(zhuǎn)化成薄膜或?qū)⒈∧まD(zhuǎn)換成芯片襯底頁(yè)面，使高密度堆積的薄膜，更改生長(zhǎng)發(fā)育的薄膜的狀況，修補(bǔ)引入的危害，挪動(dòng)摻雜劑或?qū)诫s劑從一個(gè)薄膜遷移到另一個(gè)薄膜或從薄膜進(jìn)到圓晶襯底。退火爐能夠集成化到其他火爐處理過(guò)程中，例如空氣氧化，或是能夠自已處理。
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